Նիւթ

Վերնագիր: DETERMINATION OF SPREADING PARAMETER IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS

Ստեղծողը:

A. I. Vahanyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University (YSU)

Ծածկոյթ:

70-73

Ամփոփում:

In recent years the thermoelectric properties of materials (specifically solid solutions on the basis of lead [1, 2]), in which conduction band (in the case of n-type semiconductor) or valence band (in the case of p-type semiconductor) has a two-valley structure are often investigated. During the analyses of experimental findings of thermoelectric properties it is very important to have the value of parameter -index of power in the dependence of the free path on the energy, which we’ll briefly denominate spreading parameter.

Բովանդակութիւն:


Հրատարակութեան վայրը:


Թուայնացման հովանաւորը:


Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-04-26

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23184

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

22

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25885

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
DETERMINATION OF SPREADING PARAMETER IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS Dec 13, 2023

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն