Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

ECE Dept., University of Limerick, Limerick, Ireland

Ծածկոյթ:

47-51

Ամփոփում:

Deep understanding of physical properties of the materials under the influence of radiation is vital for the effective design of devices for radiation-sensing applications. Mixing oxides in various proportions was found to control the radiation sensing properties of the semiconductor films in terms of their sensitivity to γ-radiation exposure and working dose region.

Բովանդակութիւն:

Հրատարակութեան վայրը:

Թուայնացման հովանաւորը:

Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-04-26

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23173

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան