Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
DETERMINATION OF SPREADING PARAMETER IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS
Ստեղծողը:
Համատեղ հեղինակները:
Yerevan State University (YSU)
Խորագիր:
Electronic transport in condensed matter ; Physics
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
In recent years the thermoelectric properties of materials (specifically solid solutions on the basis of lead [1, 2]), in which conduction band (in the case of n-type semiconductor) or valence band (in the case of p-type semiconductor) has a two-valley structure are often investigated. During the analyses of experimental findings of thermoelectric properties it is very important to have the value of parameter -index of power in the dependence of the free path on the energy, which we’ll briefly denominate spreading parameter.
Բովանդակութիւն:
Հրատարակութեան վայրը:
Թուայնացման հովանաւորը: