Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia

Ծածկոյթ:

57-61

Ամփոփում:

Recently the interest to the radio-frequency integrated circuits is sharply increased, connected with the rapid development of mobile communication. The modern integrated technology for RF applications (800 МHz­2.5G Hz) rather easily provides creation of active devices. However, the presence of high-quality passive components represents a serious problem for integrated realization [1, 2]. The high­quality inductor in monolithic performance is the most difficult to realize by methods, which would be compatible to modern planar manufacturing techniques of micro­ and nanoscale integrated circuits.bb

Բովանդակութիւն:

Հրատարակութեան վայրը:

Թուայնացման հովանաւորը:

Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-04-26

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23178

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան