Օբյեկտ

Վերնագիր: ARTIFICAL INDUCTOR EFFECT ON MOS TRANSISTORS

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia

Ծածկույթ:

57-61

Ամփոփում:

Recently the interest to the radio-frequency integrated circuits is sharply increased, connected with the rapid development of mobile communication. The modern integrated technology for RF applications (800 МHz­2.5G Hz) rather easily provides creation of active devices. However, the presence of high-quality passive components represents a serious problem for integrated realization [1, 2]. The high­quality inductor in monolithic performance is the most difficult to realize by methods, which would be compatible to modern planar manufacturing techniques of micro­ and nanoscale integrated circuits.bb

Բովանդակություն:


Հրատարակության վայրը:


Թվայնացման հովանավորը:


Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-04-26

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23178

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

31

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25879

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
ARTIFICAL INDUCTOR EFFECT ON MOS TRANSISTORS Dec 13, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն