Recently the interest to the radio-frequency integrated circuits is sharply increased, connected with the rapid development of mobile communication. The modern integrated technology for RF applications (800 МHz2.5G Hz) rather easily provides creation of active devices. However, the presence of high-quality passive components represents a serious problem for integrated realization [1, 2]. The highquality inductor in monolithic performance is the most difficult to realize by methods, which would be compatible to modern planar manufacturing techniques of micro and nanoscale integrated circuits.bb

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Ստեղծողը:

Համատեղ հեղինակները:

Խորագիր:

Ծածկոյթ:

Ամփոփում:

Բովանդակութիւն:

Հրատարակութեան վայրը:

Թուայնացման հովանաւորը:

Ստեղծման ամսաթիւը:

Տեսակ:

Ձեւաչափ:

Բնօրինակին գտնուելու վայրը: