Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

ARTIFICAL INDUCTOR EFFECT ON MOS TRANSISTORS

Ստեղծողը:

V. V. Buniatyan ; G. M. Travajyan ; A. H. Asatryan

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia

Խորագիր:

Physics ; Electronic transport in condensed matter

Ծածկույթ:

57-61

Ամփոփում:

Recently the interest to the radio-frequency integrated circuits is sharply increased, connected with the rapid development of mobile communication. The modern integrated technology for RF applications (800 МHz­2.5G Hz) rather easily provides creation of active devices. However, the presence of high-quality passive components represents a serious problem for integrated realization [1, 2]. The high­quality inductor in monolithic performance is the most difficult to realize by methods, which would be compatible to modern planar manufacturing techniques of micro­ and nanoscale integrated circuits.bb

Բովանդակություն:

Հրատարակության վայրը:

Թվայնացման հովանավորը:

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-04-26

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան