Օբյեկտ

Վերնագիր: DETERMINATION OF SPREADING PARAMETER IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS

Ստեղծողը:

A. I. Vahanyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University (YSU)

Ծածկույթ:

70-73

Ամփոփում:

In recent years the thermoelectric properties of materials (specifically solid solutions on the basis of lead [1, 2]), in which conduction band (in the case of n-type semiconductor) or valence band (in the case of p-type semiconductor) has a two-valley structure are often investigated. During the analyses of experimental findings of thermoelectric properties it is very important to have the value of parameter -index of power in the dependence of the free path on the energy, which we’ll briefly denominate spreading parameter.

Բովանդակություն:


Հրատարակության վայրը:


Թվայնացման հովանավորը:


Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-04-26

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23184

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

22

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25885

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
DETERMINATION OF SPREADING PARAMETER IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS Dec 13, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն