Նիւթ

Վերնագիր: HEAVY METAL DETECTION WITH SEMICONDUCTOR DEVICES BASED ON PLD-PREPARED CHALCOGENIDE GLASS THIN FILMS

Ստեղծողը:

J. P. Kloock ; M. J. Schöning

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Aachen University of Applied Sciences, Jülich Campus, Institute of Nano- and Biotechnologies (INB), Ginsterweg 1, 52428 Jülich, Germany ; Research Centre Jülich, Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-2), 52428 Jülich, Germany

Ծածկոյթ:

95-98

Ամփոփում:

Chalcogenide glass materials as membranes for potentiometric sensors for chemical analysis in solutions have been extensively studied in the past. Ion-selective electrodes with chalcogenide glass membranes dealt with the ion-sensing properties of this class of materials, followed by systematic investigations of their solid-state chemistry, the sensing mechanism and their analytical characteristics [1]. Recently, the analytical performance of chalcogenide glass membranes has been combined with techniques originally invented for semiconductor processing, in order to create a new generation of silicon-based sensors with chalcogenide glass thin films for heavy metal detection. For these modern and miniaturized sensor devices, however, it is necessary to prepare the sensitive material in a fast and cost-effective way. This especially becomes very interesting in terms of multi-sensor systems for the simultaneous measurement of different ions in solutions. Based on conventional chalcogenide glass bulk electrode materials, the authors have introduced the pulsed-laser deposition (PLD) process for the fabrication of complex chalcogenide glass materials in the thin-film state [2-11] . Miniaturized ion-selective electrodes (µISE), sensor array structures and field-effect structures such as the electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) sensor, the light-addressable potentiometric sensor (LAPS) and the ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) are selected as transducer materials for the readout of the sensor signal. The results for different chalcogenide glass materials together with different transducer structures will be presented.

Բովանդակութիւն:


Հրատարակութեան վայրը:


Թուայնացման հովանաւորը:


Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-04-26

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23169

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

51

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25870

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
HEAVY METAL DETECTION WITH SEMICONDUCTOR DEVICES BASED ON PLD-PREPARED CHALCOGENIDE GLASS THIN FILMS Dec 13, 2023

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն