Նիւթ

Վերնագիր: INCREASE IN THERMAL RELIABILITY OF INTEGRATED CIRCUITS AT THE STAGE OF PLACEMENT OF CELLS

Ստեղծողը:

A. G. Harutyunyan ; A. H. Kajoyan

Տեսակ:

Conference

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Ծածկոյթ:

178-182

Ամփոփում:

Criteria and the corresponding approach for initial placement of integral circuit cells, providing topological homogeneity of the thermal field and increase in the thermal reliability, are proposed. The developed model allows using convenient computer methods.

Բովանդակութիւն:


Հրատարակութեան վայրը:


Թուայնացման հովանաւորը:


Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-08-29

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23197

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

25

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25899

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
INCREASE IN THERMAL RELIABILITY OF INTEGRATED CIRCUITS AT THE STAGE OF PLACEMENT OF CELLS Dec 13, 2023

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն