Օբյեկտ

Վերնագիր: GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

Publication Details:

Established in 2008

Journal or Publication Title:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Date of publication:

2014

Volume:

7

Number:

2

ISSN:

1829-1171

Official URL:


Corporate Creators:

Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Coverage:

69-74

Abstract:

On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived

Date created:

2014-05-26

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:23372

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

26

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26114

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն