Նիւթ

Վերնագիր: GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

Ստեղծողը:

A. I. Vahanyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2014

Հատոր:

7

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Ծածկոյթ:

69-74

Ամփոփում:

On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived

Ստեղծման ամսաթիւը:

2014-05-26

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23372

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

24

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26114

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն