Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics
On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived
oai:arar.sci.am:23372
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Dec 13, 2023
Feb 27, 2020
24
https://arar.sci.am/publication/26114
Հրատարակութեան անունը | Թուական |
---|---|
GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS | Dec 13, 2023 |
J. P. Kloock M. J. Schöning
T. Wagner T. Yoshinobu M. J. Schöning
G. Y. Ayvazyan G. H. Kirakosyan A. H. Vardanyan
A. G. Harutyunyan A. H. Kajoyan
Pourus Mehta K. M. Sudheer V. D. Srivastava V. B. Chandratre C. K. Pithawa