Advanced search ?

Object

Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Download

Title: Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Creator:

Овсепян, Р. К. ; Агамалян, Н. Р. ; Кафадарян, Е. А. ; Аракелян, А. А. ; Мнацаканян, Г. Г. ; Петросян, С. И.

Type:

Статья

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2020

Volume:

55

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Additional Information:

Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Կաֆադարյան Ե. Ա., Առաքելյան Ա. Ա., Մնացականյան Հ. Գ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Kafadaryan Y. A., Arakelyan A. A., Mnatcakanyan H. G., Petrosyan S. I.

Group publication title:

Էլեկտրական աղմուկները դաշտային տրանզիստորներում` ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա ; Electrical Noise in Field-Effect Transistors Based on ZnO: Li Films

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

228–239

Abstract:

Հետազոտված են դիֆուզ տեխնոլոգիայի կիրառմամբ ստացված ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա դաշտային տրանզիստորների աղմուկային բնութագրերը: Բերված են արտահոսքի հոսանքի աղմուկային բնութագրերի փորձարարական հետազոտության արդյունքները, այսինքն` պատահական հեռագրական ազդանշանը և 1/f-աղմուկը: Արտահոսքի հոսանքի աղմուկների սպեկտրալ խտությունը հաճախությունների ցածրհաճախային տիրույթում (10–5000 Հց) ունի դասական 1/f- կախում: Հայտնաբերվել է, որ ակցեպտորային խառնուկի փոքր կոնցենտրացիաների դեպքում դիտվում է 1/f-աղմուկ, իսկ ակցեպտորային խառնուկի կոնցենտրացիայի մեծացման դեպքում գերակշռում է պատահական հեռագրական ազդանշանը: The noise characteristics of field-effect transistors based on ZnO:Li films obtained by the diffuse technology are studied. The results of an experimental study of the noise characteristics of the drain current are presented, namely, the Random Telegraph Signal and the 1/f-noise. The spectral density of the drain current noises in the low-frequency range (10–5000 Hz) has a classical 1/f dependence. It was found that at low concentrations of the acceptor impurity, 1/f-noise is observed, and with an increase in the acceptor impurity concentration the Random Telegraph Signal prevails.

Publisher:

Հայաստանի ԳԱԱ

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:167892

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Nanotechnology Physics

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Jun 19, 2020

Number of object content hits:

31

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/184740

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Edition name Date
Овсепян, Р. К., Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li May 5, 2025

Objects

Similar

Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян А. А. Аракелян Г. Г. Мнацаканян С. И. Петросян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Статья

Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян Г. Г. Мнацаканян А. А. Аракелян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Исследование поверхности термически обработанного гексаборида лантана

А. С. Игитян Е. А. Кафадарян Н. Р. Агамалян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян И. А. Гамбарян Р. К. Овсепян О. С. Семерджян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Электронные фазовые переходы металл–изолятор в широкозонных полупроводниках ZnO

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние γ-облучения на прозрачные проводящие пленки ZnO:Ga

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян И. А. Гамбарян Е. А. Кафадарян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян А. К. Ширинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние отжига на оптические и электрические свойства пленок ZnO:Er

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян Е. А. Кафадарян Р. Б. Костанян С. И. Петросян Г. О. Ширинян М. Н. Нерсисян А. Х. Абдуев А. Ш. Асваров Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктур ZnO:Li/LiNbO3 и ZnO:Li/TGS для ИК пироприемников

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված
More

Contact details

Address

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Phone

(+374) 10 524750

E-Mail

info@flib.sci.am

Visit us!

This page uses 'cookies'. More information