Object structure

Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Կաֆադարյան Ե. Ա., Առաքելյան Ա. Ա., Մնացականյան Հ. Գ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Kafadaryan Y. A., Arakelyan A. A., Mnatcakanyan H. G., Petrosyan S. I.

Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Էլեկտրական աղմուկները դաշտային տրանզիստորներում` ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա ; Electrical Noise in Field-Effect Transistors Based on ZnO: Li Films

Овсепян, Р. К. ; Агамалян, Н. Р. ; Кафадарян, Е. А. ; Аракелян, А. А. ; Мнацаканян, Г. Г. ; Петросян, С. И.

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Nanotechnology ; Physics

228–239

Հետազոտված են դիֆուզ տեխնոլոգիայի կիրառմամբ ստացված ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա դաշտային տրանզիստորների աղմուկային բնութագրերը: Բերված են արտահոսքի հոսանքի աղմուկային բնութագրերի փորձարարական հետազոտության արդյունքները, այսինքն` պատահական հեռագրական ազդանշանը և 1/f-աղմուկը: Արտահոսքի հոսանքի աղմուկների սպեկտրալ խտությունը հաճախությունների ցածրհաճախային տիրույթում (10–5000 Հց) ունի դասական 1/f- կախում: Հայտնաբերվել է, որ ակցեպտորային խառնուկի փոքր կոնցենտրացիաների դեպքում դիտվում է 1/f-աղմուկ, իսկ ակցեպտորային խառնուկի կոնցենտրացիայի մեծացման դեպքում գերակշռում է պատահական հեռագրական ազդանշանը: The noise characteristics of field-effect transistors based on ZnO:Li films obtained by the diffuse technology are studied. The results of an experimental study of the noise characteristics of the drain current are presented, namely, the Random Telegraph Signal and the 1/f-noise. The spectral density of the drain current noises in the low-frequency range (10–5000 Hz) has a classical 1/f dependence. It was found that at low concentrations of the acceptor impurity, 1/f-noise is observed, and with an increase in the acceptor impurity concentration the Random Telegraph Signal prevails.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան