Խորացված որոնում ?

Օբյեկտ

Исследование поверхности термически обработанного гексаборида лантана

Ներբեռնել

Վերնագիր: Исследование поверхности термически обработанного гексаборида лантана

Ստեղծողը:

А. С. Игитян ; Е. А. Кафадарян ; Н. Р. Агамалян ; С. И. Петросян ; Г. Р. Бадалян ; И. А. Гамбарян ; Р. К. Овсепян ; О. С. Семерджян

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

49

Համար:

6

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Study of the thermally processed lanthanum hexaboride surface

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

415-424

Ամփոփում:

Исследована возможность выращивания оксида лантана (La2O3) на поверхности гексаборида лантана (LaB6) с (100)- и (100/110)-ориентацией в условиях термического отжига с целью получения структуры металл-оксид-металл. Opportunity of growing a lanthanum oxide (La2O3) on the surface of lanthanum hexaboride (LaB6) with (100)- and (100/110)- orientation by thermal annealing process to produce a metal-oxide-metal structure has been studied.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-12-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134576

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Հովսեփյան Ռ. Կ. Սեմերջյան Հ. Ս. Igityan A. S. Kafadaryan Y. A. Aghamalyan N. R. Petrosyan S. I. Badalyan G. R. Gambaryan I. A. Hovsepyan R. K. Semerjian H. S.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

16

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147927

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Исследование поверхности термически обработанного гексаборида лантана May 5, 2025

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Влияние γ-облучения на прозрачные проводящие пленки ZnO:Ga

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян И. А. Гамбарян Е. А. Кафадарян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян А. К. Ширинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян Г. Г. Мнацаканян А. А. Аракелян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Фотолюминесценция эрбия в поликристаллической керамике и в кристаллической пленке оксида эрбия

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян Е. А. Кафадарян Р. Б. Костанян С. И. Петросян Г. О. Ширинян Г. Р. Бадалян Д. Г. Заргарян А. Х. Абдуев А. Ш. Асваров Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Мемристивный эффект в двухслойных структурах на основе легированных литием пленок ZnO

А. С. Игитян Н. Р. Агамалян С. И. Петросян Е. А. Кафадарян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян А. А. Аракелян Г. Г. Мнацаканян С. И. Петросян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Статья

Влияние отжига на оптические и электрические свойства пленок ZnO:Er

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян Е. А. Кафадарян Р. Б. Костанян С. И. Петросян Г. О. Ширинян М. Н. Нерсисян А. Х. Абдуев А. Ш. Асваров Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктур ZnO:Li/LiNbO3 и ZnO:Li/TGS для ИК пироприемников

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված
Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն