Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2019

Հատոր:

54

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Դաշտային տրանզիստոր ցինկի օքսիդի հիման վրա դիֆուզ տեխնոլոգիայի օգտագործմամբ; Field-Effect Transistor Based on Zinc Oxide Using Diffusion Technology

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

384-395

Ամփոփում:

На основе разработанной авторами технологии локального диффузного легирования определенных участков плёнки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями создан оптически прозрачный полевой транзистор с каналом n-типа. В качестве изолятора затвора использовались плёнки MgF2. Исследовались полевой эффект и темновые электрические характеристики полученных структур. Разработаны полевые фототранзисторы на основе этих структур. Исследовались фотоэлектрические характеристики полученных полевых фототранзисторов и предложен механизм фотоэлектрического усиления в них. ZnO թաղանթի որոշակի տեղամասերի` դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li)խառնուկներով լոկալ դիֆուզ լեգիրման մշակված տեխնոլոգիայի հիման վրա ստեղծված է n-տիպի կանալով թափանցիկ դաշտային տրանզիստոր: Որպես փականակի մեկուսիչ օգտագործվել է MgF2-ի թաղանթ: Հետազոտվել են ստացված կառուցվածքների մթնային էլեկտրական բնութագրերը և դաշտային էֆեկտը: Այդ կառուցվածքների հիման վրա մշակված են դաշտային ֆոտոտրանզիստորներ: Հետազոտվել են ստացված դաշտային ֆոտոտրանզիստորների ֆոտոէլեկտրական բնութագրերը, և առաջարկվել է նրանցում ֆոտոէլեկտրական ուժեղացման մեխանիզմը: Based on the developed technology of local diffusion doping of certain parts of the ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities, a transparent field effect transistor with n-type channel was manufactured. MgF2 films were used as a gate insulator. The field effect and dark electrical characteristics of the structures were investigated. Field phototransistors based on these structures have been developed. The photoelectric characteristics of the field phototransistors were investigated, and the mechanism of photoelectric amplification was proposed.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2019-08-08

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134902

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան