Խորացուած որոնում ?

Նիւթ

Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Ներբեռնել

Վերնագիր: Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li

Ստեղծողը:

Овсепян, Р. К. ; Агамалян, Н. Р. ; Кафадарян, Е. А. ; Аракелян, А. А. ; Мнацаканян, Г. Г. ; Петросян, С. И.

Տեսակ:

Статья

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2020

Հատոր:

55

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Կաֆադարյան Ե. Ա., Առաքելյան Ա. Ա., Մնացականյան Հ. Գ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Kafadaryan Y. A., Arakelyan A. A., Mnatcakanyan H. G., Petrosyan S. I.

Խմբային հրապարակման վերնագիր:

Էլեկտրական աղմուկները դաշտային տրանզիստորներում` ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա ; Electrical Noise in Field-Effect Transistors Based on ZnO: Li Films

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

228–239

Ամփոփում:

Հետազոտված են դիֆուզ տեխնոլոգիայի կիրառմամբ ստացված ZnO:Li-ի թաղանթների հիման վրա դաշտային տրանզիստորների աղմուկային բնութագրերը: Բերված են արտահոսքի հոսանքի աղմուկային բնութագրերի փորձարարական հետազոտության արդյունքները, այսինքն` պատահական հեռագրական ազդանշանը և 1/f-աղմուկը: Արտահոսքի հոսանքի աղմուկների սպեկտրալ խտությունը հաճախությունների ցածրհաճախային տիրույթում (10–5000 Հց) ունի դասական 1/f- կախում: Հայտնաբերվել է, որ ակցեպտորային խառնուկի փոքր կոնցենտրացիաների դեպքում դիտվում է 1/f-աղմուկ, իսկ ակցեպտորային խառնուկի կոնցենտրացիայի մեծացման դեպքում գերակշռում է պատահական հեռագրական ազդանշանը: The noise characteristics of field-effect transistors based on ZnO:Li films obtained by the diffuse technology are studied. The results of an experimental study of the noise characteristics of the drain current are presented, namely, the Random Telegraph Signal and the 1/f-noise. The spectral density of the drain current noises in the low-frequency range (10–5000 Hz) has a classical 1/f dependence. It was found that at low concentrations of the acceptor impurity, 1/f-noise is observed, and with an increase in the acceptor impurity concentration the Random Telegraph Signal prevails.

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:167892

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Nanotechnology Physics

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Jun 19, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

31

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/184740

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
Овсепян, Р. К., Электрические шумы в полевых транзисторах на основе пленок ZnO:Li May 5, 2025

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян А. А. Аракелян Г. Г. Мнацаканян С. И. Петросян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Статья

Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Р. К. Овсепян Н. Р. Агамалян Е. А. Кафадарян Г. Г. Мнацаканян А. А. Аракелян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Исследование поверхности термически обработанного гексаборида лантана

А. С. Игитян Е. А. Кафадарян Н. Р. Агамалян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян И. А. Гамбарян Р. К. Овсепян О. С. Семерджян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Электронные фазовые переходы металл–изолятор в широкозонных полупроводниках ZnO

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние γ-облучения на прозрачные проводящие пленки ZnO:Ga

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян И. А. Гамбарян Е. А. Кафадарян С. И. Петросян Г. Р. Бадалян А. К. Ширинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние отжига на оптические и электрические свойства пленок ZnO:Er

Н. Р. Агамалян Р. К. Овсепян Е. А. Кафадарян Р. Б. Костанян С. И. Петросян Г. О. Ширинян М. Н. Нерсисян А. Х. Абдуев А. Ш. Асваров Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктур ZnO:Li/LiNbO3 и ZnO:Li/TGS для ИК пироприемников

Н. Р. Агамалян Т. А. Асланян Э. С. Варданян Е. А. Кафадарян Р. К. Овсепян С. И. Петросян А. Р. Погосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված
Աւելին

Կապին մանրամասները

Հասցէ

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամեան 24/6
Երեւան 0019

Հեռաձայն

(+374) 10 524750

Ել-նամակ

info@flib.sci.am

Այցելեցէք մեզ։

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն