Օբյեկտ

Վերնագիր: Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2018

Հատոր:

53

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Ոչ գծային էլեկտրական էլեմենտների ստեղծման համար դիֆուզիայի եղանակով գալիումով և լիթիումով լեգիրված ցինկի օքսիդի թաղանթների ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectric Properties of Zinc Oxide Films Diffusion-Doped by Gallium and Lithium for Creation of Nonlinear Electric Elements

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

477-488

Ամփոփում:

Разработана методика локального диффузного легирования определенных участков пленки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями для получения пленок с топологическим рисунком легированных областей. Մշակված է լեգիրող խառնուկի տոպոլոգիական պատկերով թաղանթների ստեղծման համար դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li) խառնուկներով ZnO-ի թաղանթի որոշակի հատվածների տեղային դիֆուզային լեգիրման մեթոդիկան: A technique for local diffusion doping of certain areas of a ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities has been developed to produce films with a topological doping pattern.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2018-12-05

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134849

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

17

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/148226

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն