Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Н. Р. Агамалян; Т. А. Асланян; Э. С. Варданян; Е. А. Кафадарян; Р. К. Овсепян; С. И. Петросян; А. Р. Погосян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

ZnO:Li/LaB6 հետերոկառուցվածքով սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորի վրա հիմնված հիշողության տարր; Memory element based on ferroelectric field-effect transistor with use of ZnO:Li/LaB6 heterostructures

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

193-202

Ամփոփում:

Созданы и исследованы сегнетоэлектрические полевые транзисторы с использованием пленок ZnO:Li одновременно в качестве канала полевого транзистора и сегнетоэлектрического активного элемента. Ստեղծված և հետազոտված են սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորներ` ZnO:Li թաղանթը օգտագործելով որպես տրանզիստորի ուղի և միևնույն ժամանակ որպես սեգնետաէլեկտրական ակտիվ տարր: Ferroelectric field-effect transistors using ZnO:Li films simultaneously as a transistor channel and as a ferroelectric active element have been prepared and studied. An opportunity of using the ferroelectric field-effect transistor based on ZnO:Li films in ZnO:

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2013-05-09

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134475

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Indexes Աղամալյան Ն. Ռ. Ասլանյան Տ. Ա. Վարդանյան Է. Ս. Կաֆադարյան Ե. Ա. Հովսեփյան Ռ. Կ. Պետրոսյան Ս. Ի. Պողոսյան Ա. Ռ. Aghamalyan N. R. Aslanyan T. A. Vardanyan E. S. Kafadaryan E. A. Hovsepyan R. K. Petrosyan S. I. Poghosyan A. R.

Նիւթին հաւաքածոները:

Digital Library > Յօդուածներ

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Apr 21, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147815

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրատարակութեան անունը	Թուական
Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6	May 5, 2025

Նիւթ

Վերնագիր: Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ: