Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2013

Հատոր:

48

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Այլ վերնագիր:

ZnO:Li/LaB6 հետերոկառուցվածքով սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորի վրա հիմնված հիշողության տարր; Memory element based on ferroelectric field-effect transistor with use of ZnO:Li/LaB6 heterostructures

Ստեղծողը:

Н. Р. Агамалян ; Т. А. Асланян ; Э. С. Варданян ; Е. А. Кафадарян ; Р. К. Овсепян ; С. И. Петросян ; А. Р. Погосян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Indexes

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Աղամալյան Ն. Ռ. ; Ասլանյան Տ. Ա. ; Վարդանյան Է. Ս. ; Կաֆադարյան Ե. Ա. ; Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Պետրոսյան Ս. Ի. ; Պողոսյան Ա. Ռ. ; Aghamalyan N. R. ; Aslanyan T. A. ; Vardanyan E. S. ; Kafadaryan E. A. ; Hovsepyan R. K. ; Petrosyan S. I. ; Poghosyan A. R.

Ծածկոյթ:

193-202

Ամփոփում:

Созданы и исследованы сегнетоэлектрические полевые транзисторы с использованием пленок ZnO:Li одновременно в качестве канала полевого транзистора и сегнетоэлектрического активного элемента. Ստեղծված և հետազոտված են սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորներ` ZnO:Li թաղանթը օգտագործելով որպես տրանզիստորի ուղի և միևնույն ժամանակ որպես սեգնետաէլեկտրական ակտիվ տարր: Ferroelectric field-effect transistors using ZnO:Li films simultaneously as a transistor channel and as a ferroelectric active element have been prepared and studied. An opportunity of using the ferroelectric field-effect transistor based on ZnO:Li films in ZnO:

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2013-05-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան