Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Н. Р. Агамалян; Т. А. Асланян; Э. С. Варданян; Е. А. Кафадарян; Р. К. Овсепян; С. И. Петросян; А. Р. Погосян

Download

Title: Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Volume:

Number:

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

ZnO:Li/LaB6 հետերոկառուցվածքով սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորի վրա հիմնված հիշողության տարր; Memory element based on ferroelectric field-effect transistor with use of ZnO:Li/LaB6 heterostructures

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

193-202

Abstract:

Созданы и исследованы сегнетоэлектрические полевые транзисторы с использованием пленок ZnO:Li одновременно в качестве канала полевого транзистора и сегнетоэлектрического активного элемента. Ստեղծված և հետազոտված են սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորներ` ZnO:Li թաղանթը օգտագործելով որպես տրանզիստորի ուղի և միևնույն ժամանակ որպես սեգնետաէլեկտրական ակտիվ տարր: Ferroelectric field-effect transistors using ZnO:Li films simultaneously as a transistor channel and as a ferroelectric active element have been prepared and studied. An opportunity of using the ferroelectric field-effect transistor based on ZnO:Li films in ZnO:

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2013-05-09

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134475

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Physics Science Indexes Աղամալյան Ն. Ռ. Ասլանյան Տ. Ա. Վարդանյան Է. Ս. Կաֆադարյան Ե. Ա. Հովսեփյան Ռ. Կ. Պետրոսյան Ս. Ի. Պողոսյան Ա. Ռ. Aghamalyan N. R. Aslanyan T. A. Vardanyan E. S. Kafadaryan E. A. Hovsepyan R. K. Petrosyan S. I. Poghosyan A. R.

Object collections:

Digital Library > Articles

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/147815

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Edition name	Date
Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6	May 5, 2025

Object

Title: Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication: