Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2022

Հատոր:

57

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Alexandrov P. A., Fanchenko S. S., Efimenko E. V., Ալեքսանդրով Պ. Ա., Ֆանչենկո Ս. Ս., Էֆիմենկո Է. Վ.

Այլ վերնագիր:

Investigation of the Influence of Neutron Irradiation on the Fault Tolerance of a Microcircuit ; Միկրոսխեմաների հուսալիության վրա նեյտրոնային ճառագայթման ազդեցության ուսումնասիրությունը

Համատեղ հեղինակները:

Национальный Исследовательский Центр «Курчатовский институт» (НИЦ КИ), Москва, Россия

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

457-462

Ամփոփում:

Уменьшение размеров транзисторов ведет к увеличению чувствительности к единичным событиям (SEU) для КМОП интегральных схем, предназначенных для работы в условиях облучения. На основании расчетных спектров первично выбитых атомов кремния рассчитаны ионизационные потери энергии для нейтронов в интервале 1–14 МэВ. Оценена восприимчивость к одиночным событиям в условиях радиации для различных топологических размеров микросхем CMOS SRAM.
Reducing transistor size leads to an increase in the sensitivity to single event upsets (SEU) for CMOS integrated circuits designed for operation in irradiated conditions. Ionization energy losses for neutrons in the range 1–14 MeV is calculated based on the calculated spectra of primary knock-on silicon atoms. CMOS SRAM chips susceptibility to SEU under irradiation is estimated for various circuit topological sizes.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

կապին հետեւելուն համար սեղմէ հոս ; oai:arar.sci.am:324741

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան