Օբյեկտ

Վերնագիր: Спин-зависимое многоканальное рассеяние электрона в квантовой проволоке

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2023

Հատոր:

58

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Բադալյան Դ. Հ., Մուրադյան Ա. Ժ., Badalyan D. A., Muradyan A. Zh.

Այլ վերնագիր:

Էլեկտրոնի՝ սպինից կախված բազմուղի ցրում քվանտային լարում ; Spin-Dependent Multichannel Scattering of Electron in a Quantum Wire

Համատեղ հեղինակները:

Ереванский государственный университет

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

45–54

Ամփոփում:

Рассмотрено многоканальное квантовое туннелирование электронного потока через потенциальный барьер из тонкого дефекта, встроенного в квантовую проволоку. На электроны также воздействует магнитное поле, направленное вдоль провода. Получены аналитические выражения для коэффициентов рассеяния и коэффициента спиновой поляризации. Показано, что в определенных энергетических интервалах каждого канала туннельного рассеяния электроны полностью поляризованы независимо от других параметров системы. Любая заданная степень поляризации может быть получена путем управления энергетическим спектром с помощью магнитного поля.
Դիտարկված է էլեկտրոնային հոսքի քվանտային թունելացումը բարակ արատի պոտենցիալային արգելքով, որը ներդրված է քվանտային լարում: Էլեկտրոնների վրա ազդում է նաև մագնիսական դաշտ՝ ուղղված լարի երկայնքով: Ստացված են անալիտիկ արտահայտություններ ցրման գործակիցների և սպինային բևեռացման գործակցի համար: Ցույց է տրված, որ թունելային ցրման յուրաքանչյուր ուղու որոշակի էներգետիկ ինտերվալներում էլեկտրոնները լրիվ բևեռացված են՝ անկախ համակարգի մյուս պարամետրերից: Ընդհանուր դեպքում կամայական տրված բևեռացման աստիճան կարող է ստացվել էներգետիկ սպեկտրը մագնիսական դաշտով կառավարելով:
A multichannel quantum tunneling of an electron stream through a potential barrier of a thin defect embedded in a quantum wire is theoretically considered. The electrons are also affected by a magnetic field directed along the wire. Analytical expressions for the scattering coefficients and the spin polarization coefficient are obtained. It is shown that in certain energy intervals of each tunneling scattering channel, the electrons are completely polarized independently of other parameters of the system. In general, any given degree of polarization can be obtained by controlling the energy spectrum using a magnetic field.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:346621

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2023

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

109

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/375842

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն