Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2022

Հատոր:

57

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Այվազյան Գ. Ե., Կովալենկո Դ. Լ., Լեբեդև Մ. Ս., Մաթեվոսյան Լ. Ա., Սեմչենկո Ա. Վ., Ayvazyan G. Y., Kovalenko D. L., Lebedev M. S., Matevosyan L. A.,Semchenko A. V.

Այլ վերնագիր:

Սև սիլիցիումի շերտով սիլիցիում-պերովսկիտ կառուցվածքների օպտիկական և կառուցվածքային հատկությունների ուսումնասիրում ; Investigation of the Structural and Optical Properties of Silicon-Perovskite Structures with a Black Silicon Layer

Համատեղ հեղինակները:

Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения ; Гомельский государственный университет, Гомель, Беларусь ; Институт радиофизики и электроники НАН Армении, Аштарак, Армения ; Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

402-410

Ամփոփում:

Проанализирована технологическая возможность применения черного кремния (b-Si) в тандемных кремниево-перовскитных солнечных элементах в качестве антиотражающей поверхности. Исследованы структурные и оптические свойства кремниево-перовскитных структур, состоящие из кремниевой подложки с поверхностью из b-Si, электронного транспортного слоя диоксида титана и фотоактивного слоя металлоорганического галогенидного перовскита. Показано, что эти слои без пор и пустот, с высокой степени конформности покрывают поверхность b-Si. Изготовленные образцы характеризуются низким коэффициентом отражения в широком диапазоне длин волн излучения.
Վերլուծվել է սև սիլիցիումի (b-Si) որպես հակաանդրադարձնող մակերևույթ կիրառման տեխնոլոգիական հնարավորությունը տանդեմային սիլիցիում-պերովսկիտ արևային էլեմենտներում: Ուսումնասիրվել են b-Si-ի մակերևույթով սիլիցիումային հարթակից, էլեկտրոնների տեղափոխման տիտանի երկօքսիդի և ֆոտոակտիվ օրգանամետաղային հալոգենային պերովսկիտի շերտերից կազմված սիլիցիում- պերովսկիտ կառուցվածքների օպտիկական և կառուցվածքային հատկությունները: Ցույց է տրվել, որ այս շերտերն առանց ծակոտիների և դատարկությունների, բարձր աստիճանի համաձևությամբ ծածկում են b-Si մակերևույթը: Պատրաստված նմուշները բնութագրվում են ճառագայթման ալիքի երկարությունների լայն տիրույթում անդրադարձման ցածր գործակցով:
The technological possibility of using black silicon (b-Si) in tandem silicon-perovskite solar cells as an antireflection surface is analyzed. The structural and optical properties of silicon-perovskite structures consist of a silicon substrate with a b-Si surface, an electron transport layer of titanium dioxide, and a photoactive layer of an organometallic halide perovskite are studied. It is shown that these layers without pores and voids cover the surface of b-Si with high conformity. The fabricated samples are characterized by a low reflection coefficient in a wide range of radiation wavelengths.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

կապին հետեւելուն համար սեղմէ հոս ; oai:arar.sci.am:324720

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան