Օբյեկտ

Վերնագիր: Исследование импедансных характеристик наноструктурного ZnO<La> сенсора паров перекиси водорода

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2022

Volume:

57

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Additional Information:

Shahnazaryan G. E., Shahkhatuni G. H., Aleksanyan M. S., Simonyan Z. G., Aroutiounian V. M., Sayunts A. G.

Other title:

Study of the Impedance Characteristics of a Nanostructured ZnO<La> Sensor for Hydrogen Peroxide Vapors

Corporate Creators:

Ереванский государственный университет

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

374-385

Abstract:

Изготовлен наноструктурный сенсор для обнаружения паров перекиси водорода. Газочувствительная пленка сенсора на основе легированного 2 ат.% La металлоксида ZnO получена методом высокочастотного магнетронного распыле- ния. В области температур от комнатной до 200С исследованы импедансные и вольт-амперные характеристики ZnO<La> сенсора как до, так и после воздействия паров перекиси водорода. На основе анализа частотных характеристик ком- плексного импеданса предложена эквивалентная электрическая цепь для исследуемой сенсорной структуры, оценены параметры составляющих ее элементов и рассчитаны аппроксимирующие кривые. Показано, что основной вклад в чувствительность изготовленного сенсора дают процессы, протекающие на поверхности полупроводниковой пленки. Исследовано влияние изменения концентрации целевого газа на чувствительность ZnO<La> сенсора.
A nanostructured sensor for the detection of hydrogen peroxide vapors was manufactured. A gas sensitive film based on ZnO metal oxide doped with 2 at.% La was obtained by high-frequency magnetron sputtering method. In the temperature range of 25C to 200C, the impedance and current-voltage characteristics of the ZnO<La> sensor were studied with and without hydrogen peroxide vapors. The equivalent electrical circuit for the the sensor was suggested and the parameters of its elements were estimated. The fitting curves were calculated based on the analysis of the frequency characteristics of the complex impedance. It was shown that the sensitivity of the manufactured sensor mainly depends on the processes occurring on the surface of the semiconductor film. The effect of the change of the target gas concentration on the sensitivity of the ZnO<La> sensor was studied.


Format:

pdf

Identifier:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:324718

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Aug 3, 2022

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

80

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/352403

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն