Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2022

Volume:

57

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Additional Information:

Alexandrov P. A., Fanchenko S. S., Efimenko E. V., Ալեքսանդրով Պ. Ա., Ֆանչենկո Ս. Ս., Էֆիմենկո Է. Վ.

Other title:

Investigation of the Influence of Neutron Irradiation on the Fault Tolerance of a Microcircuit ; Միկրոսխեմաների հուսալիության վրա նեյտրոնային ճառագայթման ազդեցության ուսումնասիրությունը

Corporate Creators:

Национальный Исследовательский Центр «Курчатовский институт» (НИЦ КИ), Москва, Россия

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

457-462

Abstract:

Уменьшение размеров транзисторов ведет к увеличению чувствительности к единичным событиям (SEU) для КМОП интегральных схем, предназначенных для работы в условиях облучения. На основании расчетных спектров первично выбитых атомов кремния рассчитаны ионизационные потери энергии для нейтронов в интервале 1–14 МэВ. Оценена восприимчивость к одиночным событиям в условиях радиации для различных топологических размеров микросхем CMOS SRAM.
Reducing transistor size leads to an increase in the sensitivity to single event upsets (SEU) for CMOS integrated circuits designed for operation in irradiated conditions. Ionization energy losses for neutrons in the range 1–14 MeV is calculated based on the calculated spectra of primary knock-on silicon atoms. CMOS SRAM chips susceptibility to SEU under irradiation is estimated for various circuit topological sizes.

Format:

pdf

Identifier:

click here to follow the link ; oai:arar.sci.am:324741

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան