Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2016

Հատոր:

9

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA

Ծածկույթ:

1-5

Ամփոփում:

Results of studies of dark current-voltage and capacitance-voltage characteristics of near-infrared sensitive (p)InSb/(n)CdTe heterostructure are presented. It is shown that the junction fabricated by the pulsed laser deposition (PLD) technology has a low number of states at the interface, which leads to the electrical properties explained by physical characteristics of heterostructure pairs.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2016-03-19

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23422

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան