Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA
Results of studies of dark current-voltage and capacitance-voltage characteristics of near-infrared sensitive (p)InSb/(n)CdTe heterostructure are presented. It is shown that the junction fabricated by the pulsed laser deposition (PLD) technology has a low number of states at the interface, which leads to the electrical properties explained by physical characteristics of heterostructure pairs.
oai:arar.sci.am:23422
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Dec 13, 2023
Feb 27, 2020
35
https://arar.sci.am/publication/26175
Edition name | Date |
---|---|
THE DARK CURRENT-VOLTAGE AND CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF NEAR-INFRARED SENSITIVE (p)InSb/(n)CdTe HETEROSTRUCTURE | Dec 13, 2023 |
Sarian, V. K. Mkrtchyan, A. H. Meshcheryakov, R. V.
Д. М. Седракян Д. А. Бадалян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Л. А. Оганнесян Г. А. Мурадян А. Ж. Мурадян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
О. С. Тихова Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Э. А. Газазян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Э. А. Газазян Г. Г. Григорян В. О. Чалтыкян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
А. Ю. Алексанян Э. А. Газазян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
А. М. Ханбекян А. А. Ханбекян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)