Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Ստեղծողը:
Համատեղ հեղինակները:
Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA
Խորագիր:
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Results of studies of dark current-voltage and capacitance-voltage characteristics of near-infrared sensitive (p)InSb/(n)CdTe heterostructure are presented. It is shown that the junction fabricated by the pulsed laser deposition (PLD) technology has a low number of states at the interface, which leads to the electrical properties explained by physical characteristics of heterostructure pairs.