GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

A. I. Vahanyan

Ներբեռնել

Վերնագիր: GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

Հատոր:

Համար:

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Ծածկույթ:

69-74

Ամփոփում:

On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-05-26

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23372

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Electronic and magnetic devices; microelectronics

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26114

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS	Dec 13, 2023

Օբյեկտ

Վերնագիր: GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ: