Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Ստեղծողը:
Համատեղ հեղինակները:
Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics
Խորագիր:
Physics ; Electronic and magnetic devices; microelectronics
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived