Օբյեկտ

Վերնագիր: ELECTRON MOBILITY VARIANCE IN SEMICONDUCTORS: THE VARIANCE APPROACH

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

4

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Ծածկույթ:

62-73

Ամփոփում:

The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations in non-degenerate semiconductors is studied in the frames of the newly developed variance approach theory. Expressions for electron mobility variances conditioned by the fluctuations of conduction band energy level occupancy and electron quasi-momentum relaxation time are obtained and analyzed. It is established that the fluctuations of the quasi-momentum relaxation time cannot be a “self-reliant” source of current 1/f-noise. A new and more general expression for Hooge’s coefficient is proposed. The newly proposed approach makes possible to investigate properties of spectral density of noises in a novel way incorporating potential mechanisms of fluctuations origin in semiconductors.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-06-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23294

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

12

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26015

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
ELECTRON MOBILITY VARIANCE IN SEMICONDUCTORS: THE VARIANCE APPROACH Dec 13, 2023

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն