Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2011

Հատոր:

4

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկոյթ:

56-61

Ամփոփում:

Experiments show that the layer of separate confinement heterostructure (SCH) has a significant influence on the emission spectrum of semiconductor optical amplifiers (SOAs). Reducing the thickness of the SCH layer at the p-side could improve the uniformity of carrier distribution among multiple quantum wells (MQWs). With three In0.67Ga0.33As0.72P0.28 QWs near the p-side and two In0.53Ga0.47As QWs near the n-side, when the thickness of the SCH layer changes from 120 nm to 30 nm, the operation current for SOAs to exhibit the full-width at half-maximum (FWHM) spectral width of above 270 nm could be reduced from 500 mA to 160 mA.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2011-06-20

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23293

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան