Object

Title: Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2018

Volume:

53

Number:

4

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Other title:

Ոչ գծային էլեկտրական էլեմենտների ստեղծման համար դիֆուզիայի եղանակով գալիումով և լիթիումով լեգիրված ցինկի օքսիդի թաղանթների ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectric Properties of Zinc Oxide Films Diffusion-Doped by Gallium and Lithium for Creation of Nonlinear Electric Elements

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

477-488

Abstract:

Разработана методика локального диффузного легирования определенных участков пленки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями для получения пленок с топологическим рисунком легированных областей. Մշակված է լեգիրող խառնուկի տոպոլոգիական պատկերով թաղանթների ստեղծման համար դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li) խառնուկներով ZnO-ի թաղանթի որոշակի հատվածների տեղային դիֆուզային լեգիրման մեթոդիկան: A technique for local diffusion doping of certain areas of a ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities has been developed to produce films with a topological doping pattern.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2018-12-05

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134849

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

17

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/148226

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information