Фотоэлектрические свойства диффузно-легированных галлием и литием пленок оксида цинка для создания нелинейных электрических элементов

Ոչ գծային էլեկտրական էլեմենտների ստեղծման համար դիֆուզիայի եղանակով գալիումով և լիթիումով լեգիրված ցինկի օքսիդի թաղանթների ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectric Properties of Zinc Oxide Films Diffusion-Doped by Gallium and Lithium for Creation of Nonlinear Electric Elements

Р. К. Овсепян ; Н. Р. Агамалян ; Е. А. Кафадарян ; Г. Г. Мнацаканян ; А. А. Аракелян ; С. И. Петросян ; Г. Р. Бадалян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science

Հովսեփյան Ռ.Կ. ; Աղամալյան Ն.Ռ. ; Կաֆադարյան Ե.Ա. ; Մնացականյան Հ.Գ. ; Առաքելյան Ա. Ա. ; Պետրոսյան Ս. Ի. ; Բադալյան Գ. Ռ. ; Hovsepyan R. K. ; Aghamalyan N. R. ; Kafadaryan E. A. ; Mnatsakanyan G. G. ; Arakelyan A. A. ; Petrosyan S. I. ; Badalyan G. R.

477-488

Разработана методика локального диффузного легирования определенных участков пленки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями для получения пленок с топологическим рисунком легированных областей. Մշակված է լեգիրող խառնուկի տոպոլոգիական պատկերով թաղանթների ստեղծման համար դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li) խառնուկներով ZnO-ի թաղանթի որոշակի հատվածների տեղային դիֆուզային լեգիրման մեթոդիկան: A technique for local diffusion doping of certain areas of a ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities has been developed to produce films with a topological doping pattern.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան