Օբյեկտ

Վերնագիր: Элемент памяти на основе сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием гетероструктуры ZnO:Li/LaB6

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

vol. 48

Համար:

№ 3

ISSN:

0002-3035

Այլ վերնագիր:

ZnO:Li/LaB6 հետերոկառուցվածքով սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորի վրա հիմնված հիշողության տարր; Memory element based on ferroelectric field-effect transistor with use of ZnO:Li/LaB6 heterostructures

Ծածկույթ:

193-202

Ամփոփում:

Созданы и исследованы сегнетоэлектрические полевые транзисторы с использованием пленок ZnO:Li одновременно в качестве канала полевого транзистора и сегнетоэлектрического активного элемента. Ստեղծված և հետազոտված են սեգնետաէլեկտրական դաշտային տրանզիստորներ` ZnO:Li թաղանթը օգտագործելով որպես տրանզիստորի ուղի և միևնույն ժամանակ որպես սեգնետաէլեկտրական ակտիվ տարր: Ferroelectric field-effect transistors using ZnO:Li films simultaneously as a transistor channel and as a ferroelectric active element have been prepared and studied. An opportunity of using the ferroelectric field-effect transistor based on ZnO:Li films in ZnO:

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-05-09

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134475

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Apr 29, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147815

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն