Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2021

Հատոր:

74

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Այվազյան Գ. Ե., Աղաբեկյան Ա. Վ., Սեմչենկո Ա. Վ., Սիդսկիյ Վ. Վ., Կովալենկո Դ. Լ., Գայշուն Վ. Ե., Մալյուտինա-Բրոնսկայա Վ. Վ., Զալեսսկիյ Վ. Բ., Ayvazyan G. Y., Aghabekyan A. В., Semchenko A. V., Sidsky V. V., Kovalenko D. L., Gaishun V. E., Malyutina-Bronskaya V. V., Zalesski V. B.

Այլ վերնագիր:

Սև սիլիցիումի մակերևույթին զոլ-դոնդող թաղանթների բնութագրերը ; Characteristics of sol-gel films on the surface of black silicon

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

314-324

Ամփոփում:

Представлены результаты исследования структурных, вольт-амперных и вольт- фарадных характеристик тонких золь-гель пленок ZnO, TiO2 и SiO2 на поверхности черного кремния (b-Si). Показано, что пленки ZnO и TiO2 имеют стабильные структурные свойства и не ухудшают отражение b-Si в широком диапазоне солнечного излучения. Заметной фоточувствительностью обладают только образцы с пленкой TiO2. Проанализированы функциональные возможности применения структур b-Si/оксидная пленка в полупроводниковых приборах различного назначения. В качестве пассивирующих и защитных покрытий в солнечных элементах на основе b-Si предпочтительно использовать золь-гель пленки ZnO и TiO2.
Ներկայացվել են սև սիլիցիումի (b-Si) մակերևույթին ZnO, TiO2 և SiO2 զոլդոնդող թաղանթների կառուցվածքային, վոլտ-ամպերային և վոլտ-ֆարադային բնութագրերը: Ցույց է տրվել, որ ZnO և TiO2 թաղանթներն ունեն կայուն կառուցվածքային հատկություններ և չեն վատթարացնում b-Si-ի անդրադարձումը արևային ճառագայթման լայն տիրույթում: Նկատելի լուսազգայնություն ունեն միայն TiO2 թաղանթով նմուշները: Վերլուծվել են b-Si/օքսիդային թաղանթ - կառուցվածքների կիրառման ֆունկցիոնալ հնարավորությունները տարբեր նշանակությամբ կիսահաղորդչային սարքերում: Որպես b-Si-ի հիման վրա արևային էլեմենտների կայունացնող և պաշտպանիչ ծածկույթ նախընտրելի է օգտագործել ZnO և TiO2 զոլ-դոնդող թաղանթները:
The investigation results of the structural, current-voltage and capacitance-voltage characteristics of thin sol-gel ZnO, TiO2 and SiO2 films on the surface of black silicon (b- Si) are presented. It is shown that the ZnO and TiO2 films have stable structural properties and do not worsen the reflection of b-Si in a wide range of solar radiation. Only samples with a TiO2 film have a noticeable photosensitivity. The functional possibilities of using b- Si/oxide film structures in semiconductor devices for different applications are analyzed. It is preferable to use ZnO and TiO2 sol-gel films as passivation and protective coatings in solar cells based on b-Si.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

DOI 10.53297/0002306X-2021.3.v74-314 ; oai:arar.sci.am:301594

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան