Publication Details:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
Характеристики золь-гель пленок на поверхности черного кремния
Other title:
Սև սիլիցիումի մակերևույթին զոլ-դոնդող թաղանթների բնութագրերը ; Characteristics of sol-gel films on the surface of black silicon
Creator:
Айвазян, Г. Е. ; Агабекян, А. В. ; Семченко, А. В. ; Сидский, В. В. ; Коваленко, Д. Л. ; Гайшун, В. Е. ; Малютина-Бронская, В. В. ; Залесский, В. Б.
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Subject:
Uncontrolled Keywords:
золь-гель метод ; оксидная пленка ; черный кремний ; вольт-амперная и вольт-фарадная характеристики ; солнечный элемент
Coverage:
Abstract:
Представлены результаты исследования структурных, вольт-амперных и вольт- фарадных характеристик тонких золь-гель пленок ZnO, TiO2 и SiO2 на поверхности черного кремния (b-Si). Показано, что пленки ZnO и TiO2 имеют стабильные структурные свойства и не ухудшают отражение b-Si в широком диапазоне солнечного излучения. Заметной фоточувствительностью обладают только образцы с пленкой TiO2. Проанализированы функциональные возможности применения структур b-Si/оксидная пленка в полупроводниковых приборах различного назначения. В качестве пассивирующих и защитных покрытий в солнечных элементах на основе b-Si предпочтительно использовать золь-гель пленки ZnO и TiO2.
Ներկայացվել են սև սիլիցիումի (b-Si) մակերևույթին ZnO, TiO2 և SiO2 զոլդոնդող թաղանթների կառուցվածքային, վոլտ-ամպերային և վոլտ-ֆարադային բնութագրերը: Ցույց է տրվել, որ ZnO և TiO2 թաղանթներն ունեն կայուն կառուցվածքային հատկություններ և չեն վատթարացնում b-Si-ի անդրադարձումը արևային ճառագայթման լայն տիրույթում: Նկատելի լուսազգայնություն ունեն միայն TiO2 թաղանթով նմուշները: Վերլուծվել են b-Si/օքսիդային թաղանթ - կառուցվածքների կիրառման ֆունկցիոնալ հնարավորությունները տարբեր նշանակությամբ կիսահաղորդչային սարքերում: Որպես b-Si-ի հիման վրա արևային էլեմենտների կայունացնող և պաշտպանիչ ծածկույթ նախընտրելի է օգտագործել ZnO և TiO2 զոլ-դոնդող թաղանթները:
The investigation results of the structural, current-voltage and capacitance-voltage characteristics of thin sol-gel ZnO, TiO2 and SiO2 films on the surface of black silicon (b- Si) are presented. It is shown that the ZnO and TiO2 films have stable structural properties and do not worsen the reflection of b-Si in a wide range of solar radiation. Only samples with a TiO2 film have a noticeable photosensitivity. The functional possibilities of using b- Si/oxide film structures in semiconductor devices for different applications are analyzed. It is preferable to use ZnO and TiO2 sol-gel films as passivation and protective coatings in solar cells based on b-Si.
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Type:
Format:
Identifier:
DOI 10.53297/0002306X-2021.3.v74-314
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան