Object

Title: Синтез, исследование и нейросетевое моделирование свойств золь-гель структур ITO/ZnO и ITO/ZnO:Mg

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2023

Volume:

58

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Additional Information:

Այվազյան Գ. Ե., Դանիլչենկո Կ. Դ., Կովալենկո Դ. Լ., Մաևսկի Ա. Ա., Նիկիտյուկ Յու. Վ., Պրոխորենկո Վ. Ա., Սեմչենկո Ա. Վ., Սիդսկիյ Վ. Վ., Խախոմով Ս. Ա., Մալյուտինա-Բրոնսկայա Վ. Վ., Նեստերենոկ Ա. Վ., Ayvazyan G. Y., Danilchenko K. D., Kovalenko D. L., Maevsky A. A., Nikityuk Yu. V., Prokhorenko V. A., Semchenko A. V., Sidsky V. V., Khakhomov S. A., Malyutina-Bronskaya V. V., Nesterenok A. V.

Other title:

Synthesis, Investigation and Neural Network Modeling of the Properties of Sol–Gel ITO/ZnO and ITO/ZnO:Mg structures ; Զոլ–գել ITO/ZnO և ITO/ZnO:Mg կառուցվածքների սինթեզ, հատկությունների հետազոտում և նեյրոցանցային մոդելավորում

Corporate Creators:

Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения ; Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины, Гомель, Беларусь ; ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

366–375

Abstract:

Золь-гель методом изготовлены двуслойные структуры ITO/ZnO и ITO/ZnO:Mg и экспериментально исследованы их структурные и фотоэлектриче- ские свойства. Показано, что морфология и ширина запрещенной зоны этих структур по сравнению с пленками ZnO и ZnO:Mg без подслоя ITO заметно изменяется. Проанализированы ВАХ изготовленных структур в темноте и под воздействием оптического излучения разной длины волны. С использованием искусственных нейронных сетей смоделирована их спектральная фоточувствительность.
Զոլ-գել մեթոդով պատրաստվել են ITO/ZnO և ITO/ZnO:Mg երկշերտ կառուցվածքներ և փորձնականորեն հետազոտվել են դրանց կառուցվածքային և ֆոտոէլեկտրական հատկությունները: Ցույց է տրվել, որ համեմատած առանց ITO ենթաշերտի ZnO և ZnO:Mg թաղանթների, նկատելիորեն փոխվում է մորֆոլոգիան և նվազում է արգելված գոտու լայնությունը: Վերլուծվել են ստացված կառուցվածքների վոլտ-ամպերային բնութագրերը՝ մթության մեջ և տարբեր երկարությունների օպտիկական ճառագայթման ազդեցության տակ։ Արհեստական նեյրոնային ցանցերի միջոցով մոդելավորվել է դրանց սպեկտրային լուսազգայունությունը։
ITO/ZnO and ITO/ZnO:Mg bilayer structures were fabricated by the sol-gel method and their structural and photoelectric properties were experimentally studied. It is shown that, compared with ZnO and ZnO:Mg films without an ITO sublayer, the morphology changes noticeably and the band gap decreases. The I–V characteristics of obtained structures were analyzed in the dark and under the influence of optical radiation of different wavelengths. Using artificial neural networks, their spectral photosensitivity was modeled

Format:

pdf

Identifier:

click here to follow the link ; oai:arar.sci.am:363449

Call number:

АЖ/415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 7, 2024

In our library since:

Oct 6, 2023

Number of object content hits:

51

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/392795

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information