Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ եւ ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2021

Հատոր:

74

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Բաբայան Ա. Վ., Աբգարյան Գ. Ա., Бабаян А. В., Абгарян Г. А.

Այլ վերնագիր:

Ընդհանուր ներդրված թեստավորման ճարտարապետություն հիշողությունների համար ; Общая архитектура встроенного самотестирования для памяти

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

204-209

Ամփոփում:

A generic Built-In Self-Test (BIST) architecture which is suitable for different types of well-known memories is proposed. This architecture consists of different components which are responsible for BIST features as operation execution and algorithm storage with a defined format. The main components of the proposed architecture are described. This architecture reduces the average test time by 0.85…3.21% (depends on the memory size).
Առաջարկվում է ներդրված թեստավորման համակարգ, որը համատեղելի է տարբեր տիպի հիշողությունների համար։ Ճարտարապետությունը կազմված է տարբեր ենթակառուցվածքներից, որոնք պատասխանատու են թեստավորման իրականացման համար, ինչպիսիք են` օպերացիաների կատարումը և թեստավորող ալգորիթմի պահպանումը որոշակի ֆորմատով։ Ներկայացված են ճարտարապետության հիմնական բաղադրիչները։ Այս համակարգը նվազեցնում է թեստավորման ժամանակը միջինում 0.85-3.21%-ով (կախված հիշողության ծավալից)։
Предлагается общая архитектура встроенного самотестирования, которая подходит для различных типов хорошо известных видов памяти. Эта архитектура состоит из различных компонентов, которые отвечают за функции самотестирования, такие как выполнение операций и хранение алгоритмов в определенном формате. Описаны основные компоненты предлагаемой архитектуры. Данная архитектура снижает среднее время тестирования на 0,85...3,21% (в зависимости от объема памяти).

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:277009

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան