Օբյեկտ

Վերնագիր: GENERAL EXPRESSION OF TEMPERATURE DEPENDENCE FOR HOLE AND ELECTRON CONCENTRATION IN MANY-VALLEY SEMICONDUCTORS

Ստեղծողը:

A. I. Vahanyan

Տեսակ:

Article

Համատեղ հեղինակները:

Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State University

Ծածկույթ:

69-74

Ամփոփում:

On the basis of charge neutrality equation, the expression for the temperature dependence of the charge carrier concentration in a non-degenerate many-valley semiconductor is derived

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-05-26

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23372

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

7

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Sep 4, 2020

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26114

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն