Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2013

Հատոր:

6

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia ; FH Aachen University of Applied Sciences, Institute of Nano- and Biotechnologies, Campus Jülich, Germany ; Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Ծածկոյթ:

188-197

Ամփոփում:

An-amorphous BaxSr1-x TiO3/ polycrystalline (pc) silicon anis-type heterojunction capacitance was evaluated theoretically and studied experimentally, taking into account the presence of oxygen vacancies in ferroelectric film as well as non-linear dependence of the ferroelectric films dielectric permittivity on the electric field for different values of oxygen vacancies concentration and doping levels in silicon.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2013-11-18

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23362

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան