Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2013

Հատոր:

6

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia ; Yerevan State University (YSU) ; FH Aachen University of Applied Sciences, Institute of Nano- and Biotechnologies, Campus Jülich, Germany

Ծածկոյթ:

177-187

Ամփոփում:

An amorphous BaxSr1-x TiO3/pc - Si (polycrystalline silicon) anisotropic heterojunction was systematically investigated in terms of built-in potentials, interface potentials and space - charge depletion layer widths. The presence of oxygen vacancies as well as the non-linear dependence of the dielectric permittivity of ferroelectric films on the electric field is considered for different values of oxygen vacancies and doping levels in silicon.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2013-11-10

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23361

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան