Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
BaxSr1-x TiO3/pc-Si HETEROJUNCTION CAPACITANCE
Ստեղծողը:
V. V. Buniatyan ; C. Huck ; A. Poghossian ; V. M. Aroutiounian ; M. J. Schoening
Համատեղ հեղինակները:
State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia ; FH Aachen University of Applied Sciences, Institute of Nano- and Biotechnologies, Campus Jülich, Germany ; Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics
Խորագիր:
Physics ; Materials science ; Electronic and magnetic devices; microelectronics
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
An-amorphous BaxSr1-x TiO3/ polycrystalline (pc) silicon anis-type heterojunction capacitance was evaluated theoretically and studied experimentally, taking into account the presence of oxygen vacancies in ferroelectric film as well as non-linear dependence of the ferroelectric films dielectric permittivity on the electric field for different values of oxygen vacancies concentration and doping levels in silicon.