Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

6

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

BaxSr1-x TiO3/pc-Si HETEROJUNCTION CAPACITANCE

Ստեղծողը:

V. V. Buniatyan ; C. Huck ; A. Poghossian ; V. M. Aroutiounian ; M. J. Schoening

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia ; FH Aachen University of Applied Sciences, Institute of Nano- and Biotechnologies, Campus Jülich, Germany ; Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Խորագիր:

Physics ; Materials science ; Electronic and magnetic devices; microelectronics

Ծածկույթ:

188-197

Ամփոփում:

An-amorphous BaxSr1-x TiO3/ polycrystalline (pc) silicon anis-type heterojunction capacitance was evaluated theoretically and studied experimentally, taking into account the presence of oxygen vacancies in ferroelectric film as well as non-linear dependence of the ferroelectric films dielectric permittivity on the electric field for different values of oxygen vacancies concentration and doping levels in silicon.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-11-18

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան