Նիւթ

Վերնագիր: NUCLEATION MECHANISM OF STRAIN-INDUCED INASSBP QUANTUM DOTS AND PITS AT LIQUID PHASE EPITAXY ON InAs (100) SUBSTRATE

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2009

Հատոր:

2

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Ծածկոյթ:

268-273

Ամփոփում:

Application of the InAsSbP and other similar quaternary materials open up interesting physical and technological prospects for the controlled growth of QDs, QPs and dots–pits cooperative systems. At the growth of lattice matched with the substrate heterolayers from the quaternary liquid phase, corresponding variation of the third and fourth components allows providing needed sign of the misfit, i.e. to provide tensile or compressive misfit stress.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2009

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23246

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

31

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25958

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն