Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2009

Հատոր:

2

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

NUCLEATION MECHANISM OF STRAIN-INDUCED INASSBP QUANTUM DOTS AND PITS AT LIQUID PHASE EPITAXY ON InAs (100) SUBSTRATE

Ստեղծողը:

V. M. Aroutiounian ; K. M. Gambaryan ; N. G. Alaverdyan ; A. K. Simonyan

Խորագիր:

Physics ; Electronic structure and electrical properties of surfaces

Ծածկույթ:

268-273

Ամփոփում:

Application of the InAsSbP and other similar quaternary materials open up interesting physical and technological prospects for the controlled growth of QDs, QPs and dots–pits cooperative systems. At the growth of lattice matched with the substrate heterolayers from the quaternary liquid phase, corresponding variation of the third and fourth components allows providing needed sign of the misfit, i.e. to provide tensile or compressive misfit stress.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2009

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան