THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

V. M. Aroutiounian; B. V. Mnatsakanyan

Download

Title: THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

Հատոր:

Համար:

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկոյթ:

15-20

Ամփոփում:

We present a mathematical model of nanotube-based gas sensor. We consider a gas sensor as a back gate field-effect transistor with nanotube channel. A sensitivity of nanotube in gas media and back gate field-effect transistor current-voltage characteristics were modeled.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2012-04-17

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23314

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Physics Electronic structure and electrical properties of surfaces

Object collections:

Digital Library > Հոդվածներ

Last modified:

Dec 13, 2023

In our library since:

Feb 27, 2020

Number of object content hits:

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/26043

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Edition name	Date
THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES	Dec 13, 2023

Object

Title: THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ: