Նիւթ

Վերնագիր: THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2012

Հատոր:

5

Համար:

1

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Ծածկոյթ:

15-20

Ամփոփում:

We present a mathematical model of nanotube-based gas sensor. We consider a gas sensor as a back gate field-effect transistor with nanotube channel. A sensitivity of nanotube in gas media and back gate field-effect transistor current-voltage characteristics were modeled.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2012-04-17

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23314

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Feb 27, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

28

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26043

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակութեան անունը Թուական
THEORY OF GAS SENSOR MADE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH NANOTUBES Dec 13, 2023

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն