Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Полевой транзистор на основе оксида цинка с использованием диффузной технологии
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Р. К. Овсепян ; Н. Р. Агамалян ; Е. А. Кафадарян ; А. А. Аракелян ; Г. Г. Мнацаканян ; С. И. Петросян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Science ; Physics ; Physics of Fluids
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Աղամալյան Ն. Ռ. ; Կաֆադարյան Ե. Ա. ; Առաքելյան Ա. Ա. ; Մնացականյան Հ. Գ. ; Պետրոսյան Ս. Ի. ; Hovsepyan R. K. ; Aghamalyan N. R. ; Kafadaryan Y. A. ; Arakelyan A. A. ; Mnatcakanyan H. G. ; Petrosyan S. I.
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
На основе разработанной авторами технологии локального диффузного легирования определенных участков плёнки ZnO донорной (Ga) и акцепторной (Li) примесями создан оптически прозрачный полевой транзистор с каналом n-типа. В качестве изолятора затвора использовались плёнки MgF2. Исследовались полевой эффект и темновые электрические характеристики полученных структур. Разработаны полевые фототранзисторы на основе этих структур. Исследовались фотоэлектрические характеристики полученных полевых фототранзисторов и предложен механизм фотоэлектрического усиления в них. ZnO թաղանթի որոշակի տեղամասերի` դոնորային (Ga) և ակցեպտորային (Li)խառնուկներով լոկալ դիֆուզ լեգիրման մշակված տեխնոլոգիայի հիման վրա ստեղծված է n-տիպի կանալով թափանցիկ դաշտային տրանզիստոր: Որպես փականակի մեկուսիչ օգտագործվել է MgF2-ի թաղանթ: Հետազոտվել են ստացված կառուցվածքների մթնային էլեկտրական բնութագրերը և դաշտային էֆեկտը: Այդ կառուցվածքների հիման վրա մշակված են դաշտային ֆոտոտրանզիստորներ: Հետազոտվել են ստացված դաշտային ֆոտոտրանզիստորների ֆոտոէլեկտրական բնութագրերը, և առաջարկվել է նրանցում ֆոտոէլեկտրական ուժեղացման մեխանիզմը: Based on the developed technology of local diffusion doping of certain parts of the ZnO film of donor (Ga) and acceptor (Li) impurities, a transparent field effect transistor with n-type channel was manufactured. MgF2 films were used as a gate insulator. The field effect and dark electrical characteristics of the structures were investigated. Field phototransistors based on these structures have been developed. The photoelectric characteristics of the field phototransistors were investigated, and the mechanism of photoelectric amplification was proposed.