Пленки ZnO:Li p-типа для получения p-n-переходов

Н. Р. Агамалян; Р. К. Овсепян; С. И. Петросян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Пленки ZnO:Li p-типа для получения p-n-переходов

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

p-տիպի ZnO:Li թաղանթներ p–n-անցումներ ստանալու համար; p-type ZnO films for preparation of p-n-junctions

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

274-282

Ամփոփում:

Исследованы фотоэлектрические свойства пленок ZnO c акцепторной примесью ионов лития, полученные методом электронно-лучевого напыления. Получены пленки с p-типом проводимости. Հետազոտված են լիթիումի իոնների ակցեպտորային խառնուրդով ZnO թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները, որոնք ստացվել են էլեկտրոնաճառագայթային փոշենստեցումով: Ստացված են p-տիպի հաղորդականությամբ թաղանթներ: Photoelectrical properties of ZnO films doped with Li acceptor impurity and prepared by electronbeam evaporation method were investigated. The obtained films possessed p-type conductivity.