Object

Title: Влияние взаимной диффузии атомов In и Al на экситонные состояния в квантовых точках InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

43

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

In-ի և Al-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնային վիճակների վրա nxGa1–xAs/AlyGa1–yAs քվանտային կետերում; Effect of interdiffusion of In and Al atoms on excitonic states in InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs quantum dots

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

268-273

Ամփոփում:

Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-07-22

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134107

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

35

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/147408

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information