Other title:

In-ի և Al-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնային վիճակների վրա nxGa1–xAs/AlyGa1–yAs քվանտային կետերում; Effect of interdiffusion of In and Al atoms on excitonic states in InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs quantum dots

Coverage:

268-273

Abstract:

Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ

Date created:

2008-07-22

Identifier:

oai:arar.sci.am:134107

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2008

Volume:

vol. 43

Number:

№ 4

ISSN:

0002-3035

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան