Исследовано влияние взаимной диффузии атомов алюминия и индия в квантовой точке InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs на эмиссионную энергию и энергию связи экситона։ Ուսւմնասիրված է ինդիումի և ալյումինիումի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունն էքսիտոնի առաքման էներգիայի և կապի էներգիայի վրա InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs քվանտային կետում: The effect of interdiffusion of aluminum and indium atoms on the exciton emission energy and binding energy in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots is studied. It is shown that with increasing diffusion length the emission energy increases monotonically, while the binding energy has a maximum.
oai:arar.sci.am:134107
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Jul 20, 2020
Apr 21, 2020
0
https://arar.sci.am/publication/147408
Edition name | Date |
---|---|
Влияние взаимной диффузии атомов In и Al на экситонные состояния в квантовых точках InxGa1–xAs/AlyGa1–yAs | Jul 20, 2020 |
В. Н. Мугнецян А. А. Киракосян
В. Н. Мугнецян А. А. Киракосян
А. А. Киракосян Х. Лантов
А. А. Киракосян Э. А. Саркисян
К. О. Кечечян А. А. Киракосян
А. Л. Асатрян А. Л. Вартанян А. А. Киракосян
Г. М. Баграмян М. Г. Барсегян А. А. Киракосян
К. О. Кечечян А. А. Киракосян