Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Пленки ZnO:Li p-типа для получения p-n-переходов
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Н. Р. Агамалян ; Р. К. Овсепян ; С. И. Петросян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Radiophysics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Աղամալյան Ն. Ռ. ; Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Պետրոսյան Ս. Ի. ; Aghamalyan N. R. ; Hovsepyan R. K. ; Petrosyan S. I.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Исследованы фотоэлектрические свойства пленок ZnO c акцепторной примесью ионов лития, полученные методом электронно-лучевого напыления. Получены пленки с p-типом проводимости. Հետազոտված են լիթիումի իոնների ակցեպտորային խառնուրդով ZnO թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները, որոնք ստացվել են էլեկտրոնաճառագայթային փոշենստեցումով: Ստացված են p-տիպի հաղորդականությամբ թաղանթներ: Photoelectrical properties of ZnO films doped with Li acceptor impurity and prepared by electronbeam evaporation method were investigated. The obtained films possessed p-type conductivity.