Object

Title: Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2008

Volume:

43

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Other title:

Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված nInSb–nPbTe–nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectrical properties of nInSb–nPbTe–nCdTe isotype structure prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

216-220

Abstract:

Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2008-05-09

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134096

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

21

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/147396

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information